Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Tantalsilizidverbindung — tantalo silicido jungtis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. tantalum silicide connection vok. Tantalsilizidverbindung, f rus. соединение из силицида тантала, n pranc. interconnexion en siliciure de tantale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
interconnexion en siliciure de tantale — tantalo silicido jungtis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. tantalum silicide connection vok. Tantalsilizidverbindung, f rus. соединение из силицида тантала, n pranc. interconnexion en siliciure de tantale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
tantalo silicido jungtis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. tantalum silicide connection vok. Tantalsilizidverbindung, f rus. соединение из силицида тантала, n pranc. interconnexion en siliciure de tantale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
соединение из силицида тантала — tantalo silicido jungtis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. tantalum silicide connection vok. Tantalsilizidverbindung, f rus. соединение из силицида тантала, n pranc. interconnexion en siliciure de tantale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
